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ZnO薄膜生长用光照MOCVD设备及其p型掺杂工艺 2018.04.14

| 成果简介

本发明涉及一种ZnO薄膜专用光照辅助生长金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备系统及其工艺方法和p型掺杂技术。其特征是在反应室内装有光源,在反应室侧壁上装有带绝缘电极的法兰盘,还添加了光源控制电源,光源通过导线连接在绝缘电极上,再连接到光源控制电源上。本发明的优点是可以降低加热片的温度,可以快速升温,快速降温,进行衬底快速调制加热生长ZnO薄膜;光照还有利于杂质源的离化和杂质激活;同时又能解决p型ZnO见光退化不稳定问题,达到老化和稳定p型掺杂的目的。



| 成果成熟度

实验室成果。


| 应用领域及市场前景

本发明属于半导体发光器件及其制备方法技术领域,可应用于信息处理、信息传输等领域,市场前景广泛。


| 合作方式

合作开发、技术入股、技术转让、实施许可。



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